硅整流元件損壞的原因是什么?
在自勵(lì)式同步電機(jī)中,硅整流元件的可靠性同時(shí)影響電機(jī)的可靠性。硅整流元件的損壞大致有以下一些原因:
1.規(guī)格選用不當(dāng),實(shí)際正向電流、反向電壓超過(guò)了元件允許值。
2.運(yùn)行、操作和維修過(guò)程中,操作不當(dāng),產(chǎn)生過(guò)電壓,將原件擊穿。例如,在用搖表測(cè)量轉(zhuǎn)子絕緣電阻時(shí),沒有將整流元件斷開,也沒有用導(dǎo)線將硅元件短接,使硅元件擊穿。非同期并列時(shí)產(chǎn)生過(guò)電壓,與主回路有電氣聯(lián)系的硅元件遭受雷電襲擊而擊穿等。
3.負(fù)載功率因素過(guò)低,勵(lì)磁回路長(zhǎng)期超載,引起硅整流元件過(guò)熱而損壞。
4.硅元件散熱面積不夠或環(huán)境溫度過(guò)高,引起散熱困難,而被燒毀等。
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